[发明专利]光学邻近效应修正方法、系统、掩膜版及可读存储介质

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应修正方法、系统、掩膜版及可读存储介质，方法包括：选取不同类型以及不同间距下的显影图形；收集各显影图形在不同工艺窗口下的第一位置和第二位置，其中，第一位置为不考虑光刻胶折射时的成像位置，第二位置为考虑光刻胶折射时的成像位置；建立第一位置和第二位置的拟合曲线；根据拟合曲线和光掩膜图形，选取最优的第一位置和第二位置建立光学模型；根据光学模型对光掩膜图形进行光学邻近效应修正。通过找出是否考虑光刻胶折射时的两个成像位置的对应关系来建立合理的光学模型，以便于实现对显影图形的光学邻近效应修正，从而提高显影图形的质量。