[发明专利]基于SIW的大角度双边陡降的频率选择表面单元及频率选择表面

摘要

本发明公开了一种基于SIW的大角度双边陡降的频率选择表面及单元，属于频率选择表面技术领域。频率选择表面单元包括5层结构，从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层、第三金属覆铜层；第一、第三金属覆铜层上刻蚀有相同尺寸的方环缝隙和六边形槽，第二金属层上刻蚀有类似结构，其上刻蚀有锯齿形方环缝隙和六边形槽。该结构共产生两个传输极点和两个传输零点，具有平坦通带和双边陡降特性。解决了现有技术中基片集成波导频率选择表面高入射角稳定性与高选择特性无法同时兼顾的问题。