[发明专利]一种基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜制造方法在审
申请号: | 202310729638.8 | 申请日: | 2023-06-20 |
公开(公告)号: | CN116736629A | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 杨欢;韩一平;崔志伟;汪加洁;赵文娟 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种基于纳米粒子阵列的光刻掩膜的制造方法,利用喷墨打印可控的水滴阵列,在水滴阵列表面分别对准喷打所需不同直径纳米粒子阵列,纳米粒子分散液与水滴不互溶,在水滴表面上形成纳米粒子单层膜,加热干燥后形成纳米粒子单层阵列,然后将纳米粒子单层阵列转移至柔性透明基底;通过调控不同位置水滴表面喷墨打印的纳米粒子胶体材料和直径,形成制造复杂微纳结构阵列多尺寸的基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜;本发明通过喷墨打印定域制造不同直径的纳米粒子单层阵列组合,突破了纳米粒子阵列掩膜只能制造单一形貌结构的限制,形成了工艺简单、高效,可控的纳米粒子单层阵列制造技术。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 粒子 单层 阵列 光刻 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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