[发明专利]一种晶圆级二维材料的洁净转移方法在审
| 申请号： | 202310603143.0 | 申请日： | 2023-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN116621167A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张永娜;姜浩;李占成;石彪;史浩飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194;C01B32/184;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 廖曦 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级二维材料的洁净转移方法，属于二维材料转移技术领域。具体方法为：在铜层上旋涂制备聚合物薄膜，再利用电化学法分离出聚合物薄膜，随后采用铜箔/二维材料衬底将其捞取获得聚合物薄膜/二维材料/铜箔，刻蚀法去除铜箔后以目标衬底捞取获得聚合物薄膜/二维材料/目标衬底，最后采用硅胶膜物理粘附去除聚合物薄膜获得二维材料/目标衬底，从而实现二维材料的洁净转移。该方法采用含大侧基官能团的丙烯酸酯类聚合物作转移介质，通过预制聚合物薄膜并结合硅胶膜物理去除聚合物薄膜，削弱了聚合物薄膜与二维材料间的相互作用力，避免了聚合物在二维材料表面的残留，转移的二维材料具有表面干净、均匀完整、聚合物残留少的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 二维 材料 洁净 转移 方法 | ||
【主权项】：
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