[发明专利]半导体器件的测试方法及相关装置在审
| 申请号： | 202310598932.X | 申请日： | 2023-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN116559619A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘富德;郑大伟 | 申请（专利权）人： | 长沙道尚循环科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙) 44850 | 代理人： | 吴洪波 |
| 地址： | 418000 湖南省怀化市新晃*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体测试技术领域，公开了一种半导体器件的测试方法及相关装置，用于提高对半导体器件测试时的准确率。方法包括：对待测试半导体进行标识分析，确定半导体标识信息；通过半导体标识信息对待测试半导体进行测试环境数据构建，生成目标测试环境；对待测试半导体进行通电测试并获取测试数据集合；对测试数据集合进行预处理得到候选数据集合；对候选数据集合进行随机噪声添加得到待分析数据集合；将待分析数据集合输入每个目标基模型进行半导体性能分析，得到初始性能分析结果；基于初始性能分析结果对多个目标基模型进行元模型构建，得到目标元模型；将初始性能分析结果输入目标元模型进行数据修正，得到目标性能分析结果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 相关 装置 | ||
【主权项】：
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