[发明专利]一种氧化硅的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202310583019.2 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116730279A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 孙晓亮;王京;王冬涵;于庆涛;张子涵 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化硅的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底包括氧化硅层，氧化硅层上设有掩膜层；向工艺腔室通入第一刻蚀气体，并向工艺腔室的上电极和下电极分别加载上电极功率信号和下电极功率信号，以对氧化硅层进行刻蚀，在氧化硅层中形成刻蚀沟槽，上电极功率信号和下电极功率信号采用同步脉冲模式。本发明能够简化刻蚀工序并获得深宽比较高的氧化硅形貌结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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