[发明专利]一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化锑薄膜和应用

摘要

本发明属于硒硫化锑纳米材料技术领域，公开了一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化锑薄膜和应用。本发明所述方法包括：将硫化钠溶液与硒硫化锑薄膜放置在同一密闭环境中，将硒硫化锑薄膜置于支撑结构上，硒硫化锑薄膜位于硫化钠溶液上方且不与硫化钠溶液接触，对密闭环境升温，进行蒸汽处理，洗涤、干燥，得到后硫化的硒硫化锑薄膜；所述硒硫化锑薄膜由水热法制备得到。本发明所述方法安全无毒，原料成本低廉，反应温度低且操作工艺简单，减少了薄膜内部硫空位的产生，提高了硒硫化锑薄膜的光电性能，将硫化后的硒硫化锑薄膜组装成太阳能电池，光电转换效率可达9.16％。