[发明专利]一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路在审
| 申请号： | 202310556797.2 | 申请日： | 2023-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN116755137A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 姜潮;邱添;王中华 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京律谱知识产权代理有限公司 11457 | 代理人： | 黄云铎 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路，包括：偏置电路为NMOS管栅极提供阶梯式偏置电压；阶梯偏置切换电路接收NMOS晶体管感应信号，并切换偏置电压给NMOS晶体管辐射感应阵列电路；感应阵列电路通过核辐射源对自身NMOS晶体管的辐射损伤，对NMOS晶体管阈值电压的影响指示电路板电离辐射总剂量等级；FPGA补偿控制电路接收来自感应阵列电路输出的电平变化信号，输出对应大小的核辐射总剂量，对数字电位器输出补偿控制信号，通过修改数字电位器对辐射损伤电信号输出阻值进行补偿。本发明利用NMOS晶体管的阈值电压辐射损伤效应，在核辐射环境下评估当前电路板受辐射总剂量的定点大小，为FPGA辐射补偿电路提供指示信号，具有低功耗、强鲁棒性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nmos 阶梯 核辐射 剂量 指示 补偿 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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