[发明专利]垂直腔面发射激光器在审

专利信息
申请号: 202310498122.7 申请日: 2023-05-05
公开(公告)号: CN116613630A 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 聂语葳;李伟;刘素平;马骁宇;吕家纲;潘智鹏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;G04F5/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种垂直腔面发射激光器,包括:二维亚波长光栅,所述二维亚波长光栅包括:光栅层,所述光栅层包括:多个柱状的光栅凸起,所述光栅凸起在第一方向和第二方向上具有不同的光栅宽度,所述第一方向和第二方向为光栅凸起的排列方向;光栅间隙,所述光栅间隙形成在所述光栅凸起周围表面;基底层,所述光栅层形成在所述基底层表面。二维亚波长光栅可以作为垂直腔面发射激光器的反射镜,从而减少顶层DBR对数,并为垂直腔面发射激光器提供偏振选择特性。
搜索关键词: 垂直 发射 激光器
【主权项】:
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