[发明专利]氟化锂包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202310478995.1 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116525786A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李喜飞;姜钦婷;李军;王晶晶;李文斌 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/525;H01M4/505;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 徐瑶 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开氟化锂包覆的富锂锰基正极材料，包括由一次颗粒组成的富锂锰基二次颗粒和氟化锂包覆层，其中氟化锂包覆层均匀分布在富锂锰基二次颗粒的表面，质量含量为1％～10％；本发明还公开氟化锂包覆的富锂锰基正极材料的制备方法，利用低温气相处理捕获富锂锰基正极材料的表面残锂，在其表面人工构筑了均匀稳定的氟化锂包覆层；该包覆层的构筑不仅有效抑制了富锂锰基的尖晶石相变和容量衰减，而且加速了界面Li |
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| 搜索关键词： | 氟化 锂包覆 富锂锰基 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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