[发明专利]一种底部籽晶定向凝固生长SiC单晶的装置及方法在审
| 申请号： | 202310473378.2 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116623289A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王志;钱国余;付文龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 姚品雅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种底部籽晶定向凝固生长SiC单晶的装置及方法，所述装置包括反应生长腔、旋转托盘和浸入式旋转体。所述方法包括：在高温下预先熔炼硅基合金体，接着将所得的硅基合金体破碎后添加至反应生长腔内并固定于炉体底部的旋转托盘上，随后将炉体内的空气抽出并在维持一定压强的惰性气氛下将硅基合金加热到熔融状态；将浸入式旋转体浸入到硅基合金溶液中，而后调控炉体的温度进行SiC单晶生长；晶体生长结束后，对所得晶体进行处理得到高纯SiC单晶。该方法可有效改善SiC单晶生长的流场环境，有助于提高SiC单晶生长的速率和稳定性，同时采用定向凝固技术控制凝固过程中SiC的晶粒取向，消除横向晶界，有利于生长高纯SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 籽晶 定向 凝固 生长 sic 装置 方法 | ||
【主权项】：
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