[发明专利]负载单原子的多孔硅基负极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310456119.9 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116404136A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;万远鑫;屈恋;陈燕玉;刘厅;薛山 | 申请（专利权）人： | 深圳市德方纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M10/0525;H01M4/04;H01M4/48;H01M4/134;H01M4/13 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 曹柳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请属于电池材料技术领域，尤其涉及一种负载单原子的多孔硅基负极材料及其制备方法和应用。该负载单原子的多孔硅基负极材料包括硅基碳纳米片和负载所述硅基碳纳米片上的金属单原子；所述硅基碳纳米片包括多孔硅基纳米片，以及包覆在所述多孔硅基纳米片表面的碳材料。多孔二维纳米片状结构为离子的沉积提供了更充足的空间，多孔硅基纳米片表面的碳材料具有优异的导电性能，既能够提高硅基负极材料的电导率，又能够进一步优化和缓解充放电过程中硅基材料的体积膨胀问题，硅基碳纳米片上的金属单原子，能够提升硅基负极材料的电导率。从而有效改善了硅基负极材料在二次电池应用中的首次充电比容量、库伦效率以及循环稳定性等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 负载 原子 多孔 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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