[发明专利]基于IGZO/钙钛矿异质结的光电器件及制备方法在审
| 申请号： | 202310413168.4 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116471849A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 胡伟 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H10K30/10 | 分类号： | H10K30/10;H10K71/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明提供一种基于氧化铟镓锌(IGZO)/钙钛矿异质结的宽光谱光电器件及其制备方法，所述方法具体包括S1:对玻璃衬底进行表面清洗；S2:对玻璃衬底进行紫外线处理；S3:采用溶液法在清洗处理好的玻璃衬底上生长钙钛矿MAPbI |
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| 搜索关键词： | 基于 igzo 钙钛矿异质结 光电 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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