[发明专利]等径过程中的温度补偿方法和装置在审
申请号: | 202310338426.7 | 申请日: | 2023-03-31 |
公开(公告)号: | CN116607206A | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 芮阳;张兴茂;李小红;徐慶晧;王忠保;黄柳青;王黎光;张昆;熊欢;赵泽慧 | 申请(专利权)人: | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人: | 孙彦虎 |
地址: | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种等径过程中的温度补偿方法,包括:从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据;其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成;针对每一炉温度数据,计算温度数据中各温度值对应的补温参数;利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数;将补温设定参数导入单晶炉的系统中,以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多,数据覆盖面也大,从而得到的温度补偿数据更加可靠,对于晶体的正常生长也更加有利,而且在计算出补温设定参数后,可以直接导入单晶炉的系统中,不需要人工处理,可以节省大量的时间和人力。 | ||
搜索关键词: | 过程 中的 温度 补偿 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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