[发明专利]磷化钴纳米颗粒修饰的多孔碳膜电极的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202310301013.1 | 申请日： | 2023-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN116397251A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 敏世雄;李雯静;王芳;张正国 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | C25B11/031 | 分类号： | C25B11/031;C25B11/075;C01B32/05;C25B1/04;B82Y30/00;C01B25/08 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750021 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种磷化钴纳米颗粒修饰的多孔碳膜电极的制备方法及其应用，属于电催化剂技术领域，所述磷化钴纳米颗粒修饰的多孔碳膜电极的制备方法是一种绿色、可扩展的制备方法，首先以低成本生物质大豆为天然碳、氮、磷来源，通过将传统的冷冻豆腐制备方法应用到过渡金属磷化物(TMPs)中，制备出前所未有的“Co豆腐”，将Co豆腐经煅烧后即可在豆腐基碳膜上原位生成磷化钴（Co |
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| 搜索关键词： | 磷化 纳米 颗粒 修饰 多孔 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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