[发明专利]一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202310275738.8 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116113291A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 刘兆;徐勇;陈泉桦;祝如俊;曹家荣;刘源;曹锦绣;孙华斌;朱力;吴洁 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H10K71/60 | 分类号： | H10K71/60;H10K10/84;H10K10/46;C23C14/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 张玉红 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 接触 电极 聚合物 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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