[发明专利]碳纳米管修饰的锡锑电极在低共熔溶剂中电沉积制备的方法在审

专利信息
申请号: 202310274535.7 申请日: 2023-03-20
公开(公告)号: CN116282395A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 赵斌;杨阳;姜琪;苏艳;王璟;张江涛;邱逢涛;黄晓东;靳阿林;罗立辉;闫佩;刘瑞春 申请(专利权)人: 华能应城热电有限责任公司;西安西热水务环保有限公司
主分类号: C02F1/461 分类号: C02F1/461;C25D9/04
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李红霖
地址: 432400 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种碳纳米管修饰的锡锑电极在低共熔溶剂中电沉积制备的方法,包括以下步骤:1)将涂刷液均匀刷涂于钛基体上,再进行干燥及高温热氧化,得到中间层;2)将所述中间层至于电沉积液中进行恒流电沉积,再在去离子水中进行浸泡后阴干,然后进行恒温保持后自然冷却至室温,完成碳纳米管修饰的锡锑电极在低共熔溶剂中电沉积,该方法能够获得稳定性及催化活性优异的电极。
搜索关键词: 纳米 修饰 电极 低共熔 溶剂 沉积 制备 方法
【主权项】:
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