[发明专利]一种MXene银纳米线复合薄膜柔性应变传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310229882.8 | 申请日： | 2023-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN116332121A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 秦文峰;耿俊恒;李刚;彭皓;薛云升;龚国翀;庞杰;钟勉 | 申请（专利权）人： | 中国民用航空飞行学院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01B7/16;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B22F1/054;B22F9/24 |
| 代理公司： | 成都东唐智宏专利代理事务所(普通合伙) 51261 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 618300 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MXene银纳米线复合薄膜柔性应变传感器及其制备方法，包括以下步骤：步骤1，获得MXene分散液；步骤2，获得银纳米线分散液；步骤3，得到MXene/银纳米线复合薄膜；步骤4，对MXene/银纳米线复合薄膜贴上导线进行封装，步骤1中MXene分散液中MXene用量为20mg，步骤2中银纳米线分散液中银纳米线长度为10‑20微米，步骤3中MXene/银纳米线分散液中MXene与银纳米线的质量比为2:1、2:2、2:4中的一种，制备过程采用将MXene/银纳米线分散液均匀分散、真空过滤在工具膜上，获得具有三维导电网络结构MXene/银纳米线复合薄膜。本发明该制备方法简便可行，具有较低的生产成本，易于量化生产。本发明制备得到的柔性应变传感器在0‑1%应变下，灵敏度高达9472。检测极限低至0.05%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mxene 纳米 复合 薄膜 柔性 应变 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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