[发明专利]一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法在审
| 申请号： | 202310163377.8 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116298750A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张亚民;温茜;孟宪伟;冯士维;彭飞;杨洁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G06F17/11;G06F17/15 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 王兆波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法，对待测器件施加一定电学偏置条件，利用测试仪器分别采集被测器件应力作用前后漏电流随时间变化的瞬态曲线，利用贝叶斯迭代的时间常数提取方法从瞬态曲线中提取器件损伤位置的时间常数，结合峰值谱时间常数提取技术将器件损伤位置的时间常数以峰值谱的形式呈现出来，并在此基础上利用幅值谱技术进行谱值化表征，将应力作用下器件内部不可见的微区结构损伤的演化过程转变为可视化的谱线移动，实现器件微区结构损伤的精准定位、损伤程度和演化过程的谱值化量化表征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 损伤 无损 表征 方法 | ||
【主权项】：
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