[发明专利]硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法在审
| 申请号： | 202310137533.3 | 申请日： | 2023-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN116113246A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杨盛谊;吴颖 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H10K30/15 | 分类号： | H10K30/15;H10K71/12;H10K71/15;H10K71/40;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李微微 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法从上至下分别为PEDOT:PSS顶电极(乙二醇处理)、PbSe量子点薄膜层、ZnO体材料薄膜层、硅纳米线阵列层和硅底电极。经过乙二醇处理的PEDOT:PSS电导率得到极大提升，作为器件的透明电极，降低入射光损耗；PbSe/ZnO和ZnO/Si‑NWA双异质结拓宽了器件的光谱响应范围并加速光生激子的分离；硅纳米线阵列结构减少入射光反射；此外ZnO薄膜的引入相比于以前的Si‑NW/PbSe简单结构，暗电流明显减小；所述结构可有效提高硅基光电探测器的探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 双异质结 驱动 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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