[发明专利]基于谐振环的填充式太赫兹超材料宽带吸收器在审
| 申请号： | 202310134439.2 | 申请日： | 2023-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN116111363A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 文天龙;陆延通;文岐业;张怀武;钟智勇;张岱南 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于谐振环的填充式太赫兹超材料宽带吸收器，属于太赫兹波功能器件技术领域。所述吸收器包括金属反射层、位于金属反射层之上的中间介质层、位于中间介质层之上的超材料结构层，所述超材料结构层由多个阵列排列的单元结构组成，单元结构包括第一方形谐振环和位于第一方形谐振环内的第二方形谐振环，第一方形谐振环和第二方形谐振环的四条边上设置大小相同的第一开口和第二开口，单元结构为轴对称图形；所述第一方形谐振环和第二方形谐振环的材料为铜、金、铝或银，第一开口和第二开口中填充金属钛或铂。本发明在传统开口谐振环的开口处引入高损耗金属进行填充，利用谐振环的谐振与开口填充处金属的高吸收，实现了吸收频带很宽的太赫兹吸收器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 谐振 填充 赫兹 材料 宽带 吸收 | ||
【主权项】：
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