[发明专利]一种身管内膛双冶金结合的Cr/Ta双层涂层制备方法在审
| 申请号： | 202310113328.3 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN116288158A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 牛云松;朱圣龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/02;C23C14/32;C23C14/35;C23C14/04 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种身管内膛双冶金结合的Cr/Ta双层涂层制备方法，属于涂层制备科学领域。该方法先采用离子镀沉积两次Cr打底层，第一次沉积弧电流80～150A，基体负偏压‑600～‑1000V，沉积10～30min。第二次沉积基体负偏压调为‑80～‑200V，沉积30～120min。然后采用高功率脉冲磁控溅射沉积两次Ta表面层，第一次沉积靶材放电电压400～800V，脉冲宽度30～100μs，峰值电流200～800A，基体负偏压‑800～‑1000V，沉积10～120min；第二次沉积基体负偏压调为‑20～‑200V，沉积60～480min。该方法得到双界面冶金结合涂层，无需后续热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 身管内膛双 冶金 结合 cr ta 双层 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
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