[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202310087169.4 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116893015A | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 永富弘树;田中诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01K13/00 | 分类号： | G01K13/00;G01K7/00;G01K7/16;G01K7/34;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁;姚宗妮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一晶体管，负载电流通过第一晶体管流向外部负载；电流生成电路，当负载电流流过过热检测目标时，该电流生成电路输出与过热检测目标中产生的功率损耗相对应的电流；电阻器‑电容器网络，其包括与过热检测目标的热电阻和热电容对应的电阻器和电容器，并且耦合到电流生成电路的一端；过热检测电路，耦合到所述电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点；以及电压源，其将电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点的电压设置为预定电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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