[发明专利]一种GaN基激光器外延结构在审
| 申请号： | 202310083229.5 | 申请日： | 2023-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN116093743A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 钟玉煌;潘华;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 宋雪莹 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本发明可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗，从而提升激光器的激光功率，获得高光效的GaN激光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 激光器 外延 结构 | ||
【主权项】：
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