[发明专利]一种透射电镜原位加载多物理场的磁性功能器件的设计方法在审

专利信息
申请号: 202310058123.X 申请日: 2023-01-18
公开(公告)号: CN116156994A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 张宏;刘昱;彭勇;关超帅;周霞;张明豫;严宇;马聪;陈春梅;摆永龙;訾浩然 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: H10N50/01 分类号: H10N50/01;H10N50/80
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 郑海峰
地址: 730000 *** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明提供了一种透射电镜原位加载多物理场的磁性功能器件的设计方法,步骤如下:1)使用聚焦离子束‑电子束双束电镜制备适用于透射电镜的厚度140‑170nm的单晶硅薄片做器件基底,2)利用直流磁控溅射法在上述基底上制备10‑30nm厚的Ni80Fe20多晶软磁薄膜,并使用聚焦离子束刻蚀技术将薄膜制成边长600‑1000nm的正三角形磁性功能单元,3)利用直流磁控溅射法在器件上再制备20‑30nm厚的重金属Pt层做导电和保护层。聚焦离子束显微技术和磁控溅射结合可以设计出一种用于透射电镜原位加载多物理场的磁性功能器件,该方法不仅可应用于基础物理研究,还可应用于新型自旋电子学器件。
搜索关键词: 一种 透射 原位 加载 物理 磁性 功能 器件 设计 方法
【主权项】:
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