[发明专利]一种提高MI-SiC-SiC预制体熔融渗硅均匀性的方法在审
| 申请号： | 202310044943.3 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN116444286A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马付根 | 申请（专利权）人： | 合肥富维康新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/84 | 分类号： | C04B35/84;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/628 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 谢佳航 |
| 地址： | 238000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高MI‑SiC‑SiC预制体熔融渗硅均匀性的方法，目的是解决针对大尺寸形状复杂的构件熔融硅无法均匀填充预制体的技术问题，技术方案为：它包括制备SiC纤维预浸带或者预浸布、层叠形成预制体、固化形成固化预制体、在固化后的预制体上打孔并插入灯芯阵列，热处理形成碳化预制体、熔融渗硅形成MI‑SiC‑SiC复合材料。本发明灯芯阵列使液硅迅速渗入预制体，显著提升渗硅速度和渗硅均匀性，有效解决大尺寸以及形状复杂构件熔融渗硅不完全的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mi sic 预制 熔融 均匀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥富维康新材料科技有限公司，未经合肥富维康新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310044943.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
