[发明专利]一种合并记录、光刺激的多脑区电极阵列及其制备有效
| 申请号： | 202310027676.9 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN115956929B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 景伟;杜会芸;刘翔;方一凡;罗玲丽;余点;鲁友明 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | A61B5/377 | 分类号： | A61B5/377;A61B5/293 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于生物、医疗设备领域，具体公开了一种合并记录、光刺激的多脑区电极阵列及其制备，该多脑区光电阵列电极包括电路板(120)、若干电极微丝(130)和若干带光纤连接头(133)的光纤(131)，其中电极微丝和光纤竖直分布在电路板上，光纤和电极微丝的自由端用于插入目标脑区，从而对目标脑区进行同步光刺激和电信号记录。本发明通过对多脑区光电阵列电极的细节组件及结构进行改进，利用特定的电路板及电极微丝和光纤设置，将多个电极微丝和光纤置于同一个电路板上，制作成为体积小，重量轻的多脑区光电阵列电极，只需进行一次插入操作，便可以植入多个脑区，操作简便，能够在小鼠等小动物上实现多脑区同步电记录和光刺激。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合并 记录 刺激 多脑区 电极 阵列 及其 制备 | ||
【主权项】：
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