[实用新型]光罩局部显影辅助装置有效
申请号: | 202221250468.2 | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN217543655U | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 王小光;谢庆丰 | 申请(专利权)人: | 深圳市科利德光电材料股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F7/30 |
代理公司: | 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 黄莉 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型实施例提供一种光罩局部显影辅助装置,包括:悬空设置以在下方形成用于供待显影光罩放置及移动的放置区域的承载支架;组装于承载支架上用于供操作人员查找及观察待显影光罩表面的待显影区域的显微镜;组装于承载支架上用于向待显影区域供应显影液的液滴供应器;以及组装于承载支架上用于从显影完成后的待显影区域吸取残留显影液的残液吸取器。本实施例避免通过肉眼直接查找,减小劳动强度,并提高精确度,然后液滴供应器向待显影区域供应显影液,对其进行显影,同时可借助显微镜对待显影区域进行观察,残液吸取器直接将残留的显影液吸附带走,保证光罩显影的有效性。 | ||
搜索关键词: | 局部 显影 辅助 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市科利德光电材料股份有限公司,未经深圳市科利德光电材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202221250468.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:外壳固定结构及煎烤机
- 下一篇:外接设备动态驱动系统
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备