[发明专利]沟槽蚀刻工艺的仿真方法及装置、存储介质、终端有效
| 申请号： | 202211713628.7 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115688489B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 全芯智造技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;H01L21/8234;G06F119/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张英英 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种沟槽蚀刻工艺的仿真方法及装置、存储介质、终端，方法包括：采用多个预设时长，对多个具有初始蚀刻沟槽的第一样品分别进行各向同性蚀刻处理，以得到蚀刻沟槽；根据各个蚀刻沟槽的剖面形貌，确定西格玛沟槽形貌的形成时长；根据各个蚀刻沟槽的剖面尺寸以及所述初始蚀刻沟槽的宽度和深度，确定在所述形成时长之内的一个或多个晶向上的第一蚀刻速率以及在所述形成时长之后的一个或多个晶向上的第二蚀刻速率；将待仿真时长、待仿真沟槽的尺寸与所述第一蚀刻速率、第二蚀刻速率代入预设的蚀刻仿真模型，以得到仿真后沟槽的沟槽蚀刻仿真尺寸。本发明可以提高对沟槽尺寸的预测准确性，降低成本和减少耗费时间。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 蚀刻 工艺 仿真 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
【主权项】：
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