[发明专利]一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法在审
| 申请号： | 202211677279.8 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN116002989A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 韩宏伟;梅安意;程彦杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤化物 钙钛矿面内 定向 结晶 方法 | ||
【主权项】：
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