[发明专利]一种AuNPs /PEDOT复合修饰的Ag3在审

专利信息
申请号: 202211617972.6 申请日: 2022-12-16
公开(公告)号: CN115844414A 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 赵志龙;汤振;郑直;杨泓;刘阳;任海果 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: A61B5/291 分类号: A61B5/291;A61B5/265;A61B5/268;A61B5/369;B05D7/24;B05D3/04;C25D11/04
代理公司: 西安亿诺专利代理有限公司 61220 代理人: 李永刚
地址: 710072 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种AuNPs/PEDOT复合修饰的Ag3Sn纳米丝束干式脑电极封装方法,属于生物医学设备技术领域,其特征在于包括:S1、Ag3Sn纳米丝束表面AuNPs/PEDOT电化学复合修饰;S2、电极基片与同轴导线焊接、绝缘套固定;S3、微弧氧化铝合金壳体树脂灌装;S4、硅胶软垫刷涂、固化;经本发明封装方法得到的Ag3Sn纳米丝束干式脑电极避免了传统Ag/AgCl湿式脑电极使用导电膏,脑电测试操作过程更为简单、便利;Ag3Sn纳米丝束干式脑电极不存在湿式脑电极导电膏或导电液干涸的问题,适用于脑电信号的长时间测试。
搜索关键词: 一种 aunps pedot 复合 修饰 ag base sub
【主权项】:
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