[发明专利]基于硅-硼和硅-磷共价键晶体的充放电电源

摘要

本发明公开了基于硅‑硼和硅‑磷共价键晶体的充放电电源，包括硅‑硼形成的P型半导体，硅‑硼形成的P型半导体的一侧设有硅‑磷形成的N型半导体，硅‑硼形成的P型半导体顶端的两侧分别安装有第一电极和第二电极，第一电极远离硅‑硼形成的P型半导体的一端固定安装有第一导线，第二电极远离硅‑硼形成的P型半导体的一端固定安装有第二导线，硅‑磷形成的N型半导体顶端的两侧分别固定安装有第三电极和第四电极，本发明非饱和共价键电池扩大移动储能容量，大大延长续航里程，非饱和共价键电池的结构为晶体结构，因此就不会有容量衰减，没有环境污染和回收问题，非饱和共价键电池主导材料使用效率，远高于锂电池的主导材料使用效率，制造工艺简单，制造成本、价格低廉，温度特性远好于锂电池，结构稳定，安全性高。