[发明专利]高储能、低损耗的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211564481.X | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN116041758A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 黄华东;刘春燕;徐玲;钟淦基;李忠明;李德龙 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;H01G4/33;B29D7/01;C08L23/06;C08L27/16 |
| 代理公司： | 西安杜诺匠心专利代理事务所(普通合伙) 61272 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高储能、低损耗的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜及其制备方法和应用，其中，制备方法包括：将聚乙烯基体和聚偏二氟乙烯进行混炼，切粒得到聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合粒料；利用挤出流延设备，将聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合粒料进行挤出流延，再经热拉伸、冷却收卷，得到聚乙烯/聚偏二氟乙烯初级复合薄膜；将聚乙烯/聚偏二氟乙烯初级复合薄膜在预设温度下进行退火拉伸处理，冷却后得到介电储能性能优良的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜。本发明所制备的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜兼具高储能、低损耗的有益效果，有望拓宽聚偏二氟乙烯在电容器薄膜领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 高储能 损耗 聚乙烯 聚偏二氟 乙烯 复合 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学，未经四川大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211564481.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型复合铝塑膜及其制备方法
- 下一篇：一种具有除尘机构的焊接机
