[发明专利]层间键合的A-MXene纳米片、薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202211516434.8 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115991479A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 杨树斌;程宗举 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B35/06 | 分类号： | C01B35/06;C01B32/90;C01B21/083;C01B21/086;B05D7/24;B82Y40/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京谱帆知识产权代理有限公司 11944 | 代理人： | 忻明 |
| 地址： | 100191 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层间键合的A‑MXene纳米片、薄膜及其制备方法，其中该A‑MXene纳米片的MXene片层之间存在M‑A‑M的键合点或键合段，所述A选自VIIB、VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA或VIA族元素中的至少一种，所述M代表MXene片层中的过渡金属元素；步骤包括：将初始MXene材料与A的单质或A的化合物在预定温度下反应预定时间，得到具有手风琴形貌的产物，所述初始MXene材料为含有‑Cl、‑Br或‑I官能团的MXene材料；将所述具有手风琴形貌的产物剥离。本发明针对含‑Cl官能团的MXene材料电阻较高的技术问题，提供了一种新的改性路径。 | ||
| 搜索关键词： | 层间键合 mxene 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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