[发明专利]一种镁合金电极表面MXene膜层改性的方法在审

专利信息
申请号: 202211469327.4 申请日: 2022-11-22
公开(公告)号: CN115821355A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 尚伟;张志远;李义兵;温玉清 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: C25D13/02 分类号: C25D13/02;H01M4/62;H01M4/46;H01M10/054;C01B32/921
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种镁合金阳极表面MXene膜层及其制备方法。首先,由Ti3AlC2粉体用湿化学法按照1:10(1g Ti3AlC2对应10mL氢氟酸)的比例选择性刻蚀掉碳钛化铝中间的铝层制备Ti2C3Tx,经二次处理后,加入去离子水中超声分散为悬浮液;然后,对镁合金依次进行打磨抛光、清洗、干燥;之后,将处理过的镁合金作为电沉积的阴、阳极,正对浸入悬浮液中进行恒压阳极电泳电沉积,之后取出镁合金阳极真空干燥后获得镁合金电极表面MXene膜层。本发明制备方法所制备的MXene膜层与镁合金之间有着良好的结合力,并能够均匀分布于镁合金表面,具备多层结构,明显改善了镁电池的电化学性能。
搜索关键词: 一种 镁合金 电极 表面 mxene 改性 方法
【主权项】:
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