[发明专利]一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法在审
| 申请号： | 202211449833.7 | 申请日： | 2022-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN115728666A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 陈晓嵋;杨柯;黄哲 | 申请（专利权）人： | 北京控制与电子技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/40 | 分类号： | G01R31/40;G01R27/26;H02M1/00;H05B45/30 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 张国虹 |
| 地址： | 100038 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种含升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析方法，包括：开关模态分析模块、MOSFET开关占空比确定模块、MOSFET导通损耗确定模块、MOSFET关断损耗分析模块、二极管损耗分析模块、电感损耗分析模块、辅助电路总损耗分析模块构建的含有升降压型辅助电路的LED驱动电源损耗分析模型实现。利用该型电路的特点，分析升降压型辅助电路引入的损耗类型及损耗确定方法，分析影响损耗的因素。本发明用于确定升降压型辅助电路的最优参数，从而提高AC‑DC LED驱动电源的整机效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 升降 辅助 电路 led 驱动 电源 损耗 分析 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京控制与电子技术研究所，未经北京控制与电子技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211449833.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
