[发明专利]一种基于二硫化钼的CMOS反相器的仿真结构及应用在审
| 申请号： | 202211442775.5 | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115935861A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 戴丽萍;王德印 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30;G06F30/23 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体设计了一种基于二硫化钼的CMOS反相器的仿真结构及应用。该反相器结构的建立包括合理划分网格结构、设置硅衬底层、定义n型和p型MoS2导电材料、栅介质层和定义p型、n型二硫化钼层，最后设置源漏电极，完成MoS2晶体管结构的建立，并在此基础上建立二硫化钼的CMOS反相器的结构。本发明利用Silvaco TCAD软件强大的器件和电路仿真功能定义MoS2反相器的结构，使用此结构可有效用于分析反相器的各种影响因素对二硫化钼的CMOS反相器的静态和动态特性的影响，该模型不仅结构简单明了、原理易懂、无需复杂的建模过程，而且充分反映了MoS2的特性反相器的工作机理，在实际集成电路生产中具有指导性的意义和作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二硫化钼 cmos 反相器 仿真 结构 应用 | ||
【主权项】：
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