[发明专利]一种提高ZNS-SSD写性能的缓存移除方法在审
| 申请号： | 202211402571.9 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115658558A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘人萍;龙林波;沈靖程 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王诗思 |
| 地址： | 400065 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于计算机存储技术领域，具体涉及一种提高ZNS‑SSD写性能的缓存移除方法，包括：根据ZNS‑SSD的分区数量，在板载DRAM中建立分区队列；根据访问的逻辑地址，确定请求即将访问的分区，并将该请求放入对应的分区队列中；如果板载DRAM被请求数据占满，执行闪存芯片工作状态感知的缓存移除策略，选择需要移除的请求数据；根据闪存芯片并行性感知的缓存移除策略，确定需要移除的请求数据的数量；执行板载DRAM的数据移除操作。本发明采用闪存芯片工作状态感知、闪存芯片间并行性感知的数据移除策略，加快数据移除过程，缩短应用程序被阻塞的时间，从而保持ZNS‑SSD高效的写性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 zns ssd 性能 缓存 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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