[发明专利]一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211395786.2 | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115912054A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 廖梦雅;董鹏;边旭明;徐浩;曹佳;王琦 | 申请（专利权）人： | 北京无线电测量研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/30;H01S5/34;H01S5/40;H01S5/02;H01S5/026;H01S5/028;H01S5/065;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 毛唯鸣 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法。在一具体实施方式中，该器件包括硅衬底；形成在衬底上的第一导电类型的第一接触层；形成在第一接触层上的第一电极和耦合腔结构；所述耦合腔结构包括形成在第一接触层上的下波导光限制层和III‑V族量子点有源层，以及形成在量子点有源层上的第一脊型波导和第二脊型波导以及其间的隔离槽，每一脊型波导包括依次形成的上波导光限制层、第二导电类型的第二接触层和第二电极。该实施方式工艺简单，避免了使用传统分布式反馈激光器的布拉格光栅和二次外延技术，可实现较大的激光阵列波长覆盖范围，适用于低成本大规模硅光集成芯片生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fp 激光 器件 集成 调谐 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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