[发明专利]电感耦合等离子体发射光谱仪测量高硅复合熔剂中氧化钙、氧化镁、二氧化硅含量的方法在审
申请号: | 202211364699.0 | 申请日: | 2022-11-02 |
公开(公告)号: | CN115639188A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 张程 | 申请(专利权)人: | 包钢集团矿山研究院(有限责任公司);内蒙古博研智成金属矿产资源综合利用工程研究有限公司 |
主分类号: | G01N21/73 | 分类号: | G01N21/73;G01N1/28;G01N1/38 |
代理公司: | 北京律远专利代理事务所(普通合伙) 11574 | 代理人: | 全成哲 |
地址: | 014030 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明公开了一种电感耦合等离子体发射光谱仪测量高硅复合熔剂中氧化钙、氧化镁、二氧化硅含量的方法,包括如下步骤:S1,试样溶液的制备:S11,将高硅复合熔剂与无水碳酸钠及硼酸混合均匀;S12,熔融步骤S11的混合物;S13,提取步骤S12的熔融物;S14,冷却并定容步骤S13的提取物;S2,空白溶液的制备:除了不加高硅复合熔剂之外,重复上述步骤S11‑S14,得到空白溶液;S3,校准溶液的制备:配置一级稀释液,再逐级稀释得到二级稀释液、三级稀释液;S4,用电感耦合等离子体发射光谱仪对空白溶液和上机试样的元素进行测定。本发明的目的是对高硅复合熔剂中氧化钙、氧化镁、二氧化硅的含量进行测定。 | ||
搜索关键词: | 电感 耦合 等离子体 发射 光谱仪 测量 复合 熔剂 氧化钙 氧化镁 二氧化硅 含量 方法 | ||
【主权项】:
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