[发明专利]一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器在审

专利信息
申请号: 202211326921.8 申请日: 2022-10-26
公开(公告)号: CN115542208A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 李鹏;田兵;刘仲;吕前程;林跃欢;李立浧;王志明;张伟勋;钟枚汕;骆柏锋;刘胜荣;尹旭;徐振恒;卢星宇;何毅 申请(专利权)人: 南方电网数字电网研究院有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人: 胡绪东
地址: 510555 广东省广州市黄*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于二氧化钛三层结构的磁阻传感器,包括第一铁磁层、第二铁磁层和二氧化钛共振层,第一铁磁层和第二铁磁层之间布置二氧化钛共振层,第一铁磁层和第二铁磁层分别作为上电极和下电极。本发明的磁阻传感器,外界磁场作用在二氧化钛三层共振磁阻结构上,改变第一铁磁层和第二铁磁层的磁化方向,使第一铁磁层和第二铁磁层的磁化方向为呈现平行或反平行,从而使二氧化钛三层共振磁阻结构具有很高的磁阻变化率,需要说明的是,磁阻变化率决定磁阻传感器的分辨力,即决定磁阻传感器的灵敏度,有效解决现有的磁阻传感器灵敏度较低、精确度不高的问题。
搜索关键词: 一种 基于 氧化 三层 结构 磁阻 传感器
【主权项】:
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