[发明专利]光学临近修正模型的建模方法及光学临近修正方法在审
| 申请号： | 202211320040.5 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115598922A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光学临近修正模型的建模方法及基于该光学临近修正模型的光学临近修正方法，应用于半导体技术领域。具体的，在本发明中其通过在光学临近修正模型(OPC修正模型)的建模过程中加入与测试图形的图形密度相关的变量的方式，使建立的OPC模型中包含图形关键尺寸与图形密度相关变量之间的映射关系，以提出一种新型的OPC修正模型。之后，再利用该OPC修正模型确定出测试图形在不同图形密度环境中的关键尺寸畸变情况，然后根据该畸变情况与测试图形的设计关键尺寸做对比，便可确定出OPC修正过程对测试图形的修正量，从而OPC修正过程中的准确度，进而提高了版图的工艺窗口和有效提升了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 修正 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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