[发明专利]晶体生长炉产线及检测方法在审

专利信息
申请号: 202211315539.7 申请日: 2022-10-26
公开(公告)号: CN115364596A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 曹建伟;朱亮;叶钢飞;倪军夫;石明智;王小飞 申请(专利权)人: 浙江求是半导体设备有限公司
主分类号: B01D46/46 分类号: B01D46/46;B01D46/90;C30B15/20;C30B29/06;G01D21/02
代理公司: 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 代理人: 赵杰香
地址: 311100 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种晶体生长炉产线,包括:晶体生长炉;第一抽滤系统,包括过滤机构和抽空机构,过滤机构设置在抽空机构和晶体生长炉之间;第二抽滤系统;集尘系统,用于清理过滤机构中的氧化物;晶体生长炉还用于检测抽空机构的抽空速度;当晶体生长炉进入工作状态后,过滤机构检测晶体生长炉中产生的氧化物的重量变化,并计算氧化物含量;若满足第一条件和第二条件中至少之一时,第一抽滤系统切换为第二抽滤系统,此时,第二抽滤系统为晶体生长炉进行抽空和过滤,第一抽滤系统进入清理模式。通过上述设置,可以实现晶体生长炉产线的不需要停机即可切换抽空和过滤的装置,并实现晶体生长炉产线的在线实时异常检测。
搜索关键词: 晶体生长 炉产线 检测 方法
【主权项】:
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