[发明专利]一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211280042.6 申请日: 2022-10-19
公开(公告)号: CN115643784A 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 胡秋波;罗扉;董宾宾;郭向阳;王亚杰;赵英勤;孙瑞瑞;郭广磊;唐春娟;黎帅帅;郭学通 申请(专利权)人: 洛阳理工学院
主分类号: H10N35/85 分类号: H10N35/85;H10N35/01;C22C1/02;C22C30/00;C22F1/00
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 时亚娟
地址: 471000 河南省洛*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种锰钴硅锗低温巨磁致伸缩材料,该材料由Mn、Co、Si和Ge四种金属组成,材料的分子式为MnCoSi1‑xGex,其中x取0.06~0.07,该材料的温度以及磁场诱导的变磁性相变发生在150K~230K,临界磁场为0.2~0.8T,低温磁致伸缩在垂直于织构方向和平行于织构方向表现出各向异性行为,于1.4T磁场诱导下变磁性相变在平行于织构方向上磁致伸缩效应最高达到2026ppm,在垂直于织构方向上磁致伸缩效应最低达到‑1685ppm。本发明制备出了成本较小,具有低温变磁性相变性能,临界磁场较低,不易碎裂,取向较好,且内部结构致密的低温磁致伸缩材料,扩大了其用途和使用范围。
搜索关键词: 一种 锰钴硅锗 低温 巨磁致 伸缩 材料 及其 制备 方法
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