[发明专利]基于MOF材料的离子栅晶体管人工突触及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211272587.2 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115568228A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 丁光龙;周晔;韩素婷 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K85/30;H10K71/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体管人工突触领域，尤其涉及一种基于MOF材料的离子栅晶体管人工突触及其制备方法和应用。本发明以MOF材料作为离子栅晶体管人工突触沟道材料，将源、漏及栅电极连入电学测试设备，在电场作用下，利用MOF材料本身的多孔特性对介电层(采用固体电解质作为介电层材料)中的离子进行俘获和释放，进而改变MOF薄膜的电导，最终实现突触可塑性的模拟，有望用于人工神经网络中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mof 材料 离子 晶体管 人工 突触 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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