[发明专利]一种液相外延YIG晶体生长自动控制设备在审
| 申请号： | 202211270272.4 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115467015A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李金;武欢;陈川贵;佘建军;李俊;陈运茂 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | C30B19/06 | 分类号： | C30B19/06;C30B19/08;C30B29/28 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体基础材料领域，特别涉及一种液相外延YIG晶体生长自动控制设备，该设备包括：支架、物料放置台、炉体以及籽晶杆结构；支架位于设备的底端，用于支撑整个设备；物料放置台的一端设置在支架内部，另一端设置在炉体的内部；炉体的底部设置在支架顶部，籽晶杆结构设置在炉体的顶部，构成液相外延YIG晶体生长自动控制设备；本发明的设备炉膛采用金属夹层水冷结构，炉膛顶部及底部设计有匹配温场的进出孔径，并设计有T台结构用于进行温场密封，炉体沿母线180度开合，便于温场装卸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 yig 晶体生长 自动控制 设备 | ||
【主权项】：
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