[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂悬臂梁结构的双偏振端面耦合器在审
| 申请号： | 202211266979.8 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115903135A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘柳;陈耿鑫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学嘉兴研究院 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/125;G02B6/26;G02B6/27 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 李亦慈;唐银益 |
| 地址： | 314031 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂悬臂梁结构的双偏振端面耦合器，其截面结构从下至上包括了衬底层，埋氧层，第一层全刻蚀铌酸锂波导层，第二层浅刻蚀铌酸锂波导层以及包层。整体结构包括输入悬臂梁结构，偏振旋转结构，偏振分束结构，两个输入双层锥形波导结构。该发明结构首次同时将端面耦合器与偏振分束旋转器二者相结合，首次在铌酸锂X切Z传波导中实现高效的耦合效率以及超低的偏振相关损耗。该发明有利于在未来光通信，光传感，光集成等领域实现高效的光纤和铌酸锂薄膜超低损耗，以及偏振不敏感的耦合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 薄膜 铌酸锂 悬臂梁 结构 偏振 端面 耦合器 | ||
【主权项】：
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