[发明专利]一种限制电流对氧化铌薄膜的电阻转变行为的调控方法及其应用

摘要

本发明属于功能氧化物薄膜开关领域，具体公开了一种限制电流对氧化铌薄膜的电阻转变行为的调控方法及其应用。本发明通过调节NbOx薄膜的限制电流（Icc）大小调控其开关行为，当Icc为5 mA和10 mA时，器件分别表现出非易失性阻变行为和易失性阻变行为；当增大Icc到50 mA时，NbOx的非易失性阻变行为和易失性阻变行为同时出现，NbOx器件可以表现出1S1R的阻变行为，并且器件的每种阻变行为都可以稳定转换100次以上，本发明的1S1R的阻变行为可以抑制RRAM三维集成结构在数据读取过程中的串扰电流，因此上述调控方法可以应用于阈值选通开关中，也可应用于阻变存储器中。