[发明专利]一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统在审
| 申请号： | 202211163746.5 | 申请日： | 2022-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN115455717A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘锦辉;梁博;张晓鹏;谭雯丹;张馨丹 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种三极管中子辐射效应的建模方法及系统，建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始三极管器件的模型数据；提取基极端口的输入V‑I特性曲线和集电极、发射极端口的输出V‑I特性曲线；根据基极特性曲线提取基极输入阻抗模型参数，根据输出特性曲线提取三极管输出模型参数；结合输入输出特性曲线得到三极管电流放大系数等基本器件参数；根据模型参数建立三极管器件物理模型；根据中子辐射效应造成的器件电特性退化，建立三极管器件基极、集电极、发射极端口中子辐射效应模型；本发明建立的模型能反映三极管器件的基本器件特性，为在辐照条件下进行系统仿真提供模型支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三极管 中子 辐射 效应 建模 方法 系统 | ||
【主权项】：
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