[发明专利]单片集成内反馈窄线宽半导体激光器在审
| 申请号： | 202211150953.7 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115377792A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 冯琛;周帅;廖苗苗;唐佳;罗晶;段利华;张靖 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/068;H01S5/10;H01S5/20;H01S5/50 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 唐龙波 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单片集成内反馈窄线宽半导体激光器，包括衬底，所述衬底上设置有通过同一材料体系形成的有源区和无源区，所述有源区设置有光激光增益放大结构，所述无源区设置有窄带滤波选模结构、前向光反馈结构和后向光反馈结构。本发明中，基于同一半导体材料体系有源无源混合生长制造平台的窄线宽半导体激光器，利用无源区对光的低损耗特性，以及窄带滤波选模结构对光的延迟特性，降低腔内损耗的同时，增加有效腔长，从而减小激光线宽；解决了目前内反馈窄线宽半导体激光器损耗大、腔长短、线宽大等难题，同时可以避免外反馈窄线宽激光器异质集成难度大的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 反馈 窄线宽 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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